因此,界乌WS2薄膜可能含有线缺陷。俄罗 背景介绍在绝缘衬底上生长晶圆级单晶二维过渡金属硫组化物(TMDs)对于各种高端应用至关重要。本工作通过几种不同的表征技术,维斯意证明了所获得的大面积单晶WS2单层膜具有优异的性能。
总而言之,地图对于本工作报道了二英寸单晶WS2单层膜在a面蓝宝石衬底上成功的外延生长,并提出了其双耦合诱导生长机制。因此,看世克兰台阶边缘讲衬底的对称性从C2降到C1,使得所有WS2晶畴只沿着一个方向排列成为可能。
相比之下,界乌生长在SiO2/Si基板上的WS2薄膜的PL谱具有不均匀的强度分布,PL谱的峰宽和能量都随位置改变(图2b,c)。
然而,俄罗由于现有的表征技术仅限于很小的区域,通过两英寸的薄膜来识别所有的缺陷实际上非常困难。维斯意相关成果以MetallizationandSuperconductivityinthevanderWaalsCompoundCuP2SethroughPressure-TuningoftheInterlayerCoupling为题发表在JournaloftheAmericanChemicalSociety上。
因此,地图对于在高压下,不同材料的结构响应和物理化学性质将有所不同。研究人员可用不同的方法来调节其层间的耦合强度,看世克兰以产生诸多新奇的材料性质。
图三、界乌同步辐射测定高压下结构的变化(a)CuP2Se高压下原位XRD图谱;(b)Rietveld精修出的晶胞参数随压力的变化及与DFT计算值的比较;(c)Rietveld精修出的晶胞体积随压力的变化及与DFT计算值的比较。俄罗(f)DFT计算的在不同压力下Cu2PSe的电子态密度图。